Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1066 МГц Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 7 RAS to CAS Delay (tRCD) 7 Row Precharge Delay (tRP) 7 Дополнительно Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.5 В Количество ранков 1