Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.5 В Количество ранков 1