Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 Дополнительно Напряжение питания 1.5 В Количество ранков 2