Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 8 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 7 RAS to CAS Delay (tRCD) 7 Row Precharge Delay (tRP) 7 Дополнительно Количество чипов каждого модуля 36, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.5 В Количество ранков 4