Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Haswell-EP Количество ядер 10 Техпроцесс 22 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3100 МГц Системная шина QPI Коэффициент умножения 31 Напряжение на ядре 0.65 B Встроенный контроллер памяти есть, полоса 68 Гб/с Кэш Объем кэша L1 64 Кб Объем кэша L2 2560 Кб Объем кэша L3 25600 Кб Наборы команд Поддержка Hyper-Threading есть Инструкции MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4 Поддержка AMD64/EM64T есть Поддержка NX Bit есть Поддержка Virtualization Technology есть Дополнительно Типичное тепловыделение 160 Вт Максимальная рабочая температура 74.7 °C Поддержка Intel vPro есть Дополнительная информация напряжение на ядре 0.65–1.30В